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DMN2500UFB4
1.6
10
8
1.2
6
0.8
I D = 250μA
T A = 25°C
4
0.4
2
0
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
100
1,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
C iss
T A = 150°C
100
T A = 125°C
10
C oss
1
C rss
10
1
T A = 85°C
T A = 25°C
0
5 10 15
20
0
4 8 12 16 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
Package Outline Dimensions
A
X2-DFN1006-3
Dim Min Max Typ
A1
A
?
0.40
?
D
b1
A1
b1
b2
D
E
0 0.05 0.02
0.10 0.20 0.15
0.45 0.55 0.50
0.95 1.05 1.00
0.55 0.65 0.60
E
b2
e
e
L1
? ? 0.35
0.20 0.30 0.25
L2
0.20 0.30 0.25
L3
? ?
0.40
All Dimensions in mm
L2
L3
L1
DMN2500UFB4
Document number: DS35724 Rev. 3 - 2
4 of 5
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
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